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磁学测试设备
晶圆级磁阻性能测试仪

基本信息

联系方式

负责人:栾媛0532-58666763

工程师:周汪洋,lana.zhou@goertek.com

仪器产地

法国

分类标签

MRAM & Sensor晶圆级磁阻性能测试

主要学科领域

磁学

测试内容

1. I-V, R-V, R-H测试;2.直流/脉冲模式击穿电压测试;3.快速扫磁场模式下测试MTJ电阻及磁滞回线;4.比特误差率BER;5.循环测试

6.MRAM的BE,TE,Rc,R-H测试

技术指标

1.晶圆可测范围:100~200mm;2.磁场强度,Zmax单轴模式垂直磁场可达5500 Oe; XY模式下平面磁场可达2400Oe;全3D配置垂直磁场可达3500Oe,平面磁场可达500Oe;3.1mm场的均匀性在面内场和垂直场均不超过±1%;4.面内场分辨率0.05mT,垂直场分辨率0.02mT ; 5.测试准确度:1%

主要功能

磁阻测试,循环测试,击穿测试

样品要求

1、样品尺寸6寸或8寸晶圆,小片可以黏贴在6寸或8寸的晶圆上;2.电极分布与探针位置匹配,详情咨询相关工程师;3.样品干燥等。

预约说明

提前一周预约

检测周期

一般自收到样品后7天内给出结果

收费标准

1. MRAM器件RF探针测试:3000元/点/特性;

2. DC探针测试:600/点/特性;

3. 循环测试、测试点较多、有特殊要求或样品加急,收费标准另议。

设备照片:

该版权归北京航空航天大学青岛研究院所有 技术支持:博达软件