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磁学测试设备
隧穿磁电阻比率测量仪

基本信息

联系方式

负责人:栾媛,0532-58666763,

luany@bhqditi.com

工程师:吕术勤,lvsq@bhqditi.com

仪器产地

荷兰

分类标签

物理性能测试仪器

主要学科领域

物理学-电磁学

测试内容

1. 测量TMR磁性薄膜的RA及MR值2.测量薄膜的Rs-H曲线

技术指标

1、最大能测量12寸晶圆2、能实现X轴移动和360旋转3、垂直磁场测量范围为±550mT/±480kA/m,均匀性<0.5%,分辨率<0.1% 4、水平磁场测量范围为±170mT/±148kA/m,均匀性<1%,分辨率<1% 5、配套有nano、narrow、standard、wide四种类型的针6、电源:200-230V,50-60Hz;最大电流:8A@200V,7A@230V

主要功能

SmartProber P1隧穿磁比率测量仪是用于实验室及工业级的磁性多层薄膜的测试系统。以TMR隧穿模型为基础,探针配有12个间距不等的引脚,从而测量得出薄膜的顶电极和底电极方阻,拟合出薄膜的RA和TMR值。

样品要求

1、测试样品需为均匀磁性膜堆(基于硅或其他衬底),最大可测12英寸晶圆。2、测试样品顶层必须导电性良好,不得有氧化层,否则无法测量,且极易损坏探针。3、测试前应向设备负责人提供表面粗糙度、膜层结构(粗略结构即可)、顶层材料及厚度、测试要求(待测内容、待测点数、测试点分布情况)等信息。

预约说明

提前预约

检测周期

根据样品点数确定

收费标准

套餐一:RA、TMR单点测量1000元/次 单点测量为单点有效测量;

套餐二:Rs-H LOOP单点测量(不含RA、TMR)1500元/次 测量步数41、磁场大小不超过1000Oe。

业绩

中国科学院微电子研究所

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