1月10日上午，山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授应邀来到北航微电子研究院，作了题为“高可靠性闪存存储芯片：从系统设计到材料优化”的学术报告，研究院的师生们积极参加了此次报告会。

陈杰智，山东大学信息科学与工程学院教授、博士生导师、IEEE高级会员，博士毕业于日本东京大学，曾在日本东芝研究开发中心任研究员。陈教授是纳米尺寸晶体管和非挥发型固态存储器专家，在国际权威器件学术会议IEDM和VLSI Symposium多次做报告，并获多项国际专利，目前为IEDM国际电子器件学会委员以及IEEE系列杂志审稿人。

报告中，陈教授首先介绍了自己在纳米存储器件可靠性方面所取得的研究成果，接着以CMOS工艺发展的历程为脉络，介绍了不同工艺节点下，在材料和工艺方面产业界所遭遇的缺陷以及现有的应对方法，其中重点介绍了5nm下的3D NAND模型，分析了尺寸缩小对噪声和MOS管阈值电压的影响机理。最后，陈教授介绍了缺陷在芯片指纹PUF和存储随机数发生器RNG等领域的积极作用，阐述了芯片性能和可靠性相协调的重要意义。

陈教授的报告既有广度也有深度，让大家对纳米存储器件有了更深入的认识，引发了参会师生的热烈讨论，陈教授详细解答了很多老师和同学的问题，让聆听报告的师生们受益匪浅。此次报告会在热烈的掌声中顺利结束。