基本信息

联系方式

负责人：栾媛0532-58666763

工程师：周汪洋，lana.zhou@goertek.com

仪器产地

法国

分类标签

MRAM & Sensor晶圆级磁阻性能测试

主要学科领域

磁学

测试内容

1. I-V, R-V, R-H测试；2.直流/脉冲模式击穿电压测试；3.快速扫磁场模式下测试MTJ电阻及磁滞回线；4.比特误差率BER；5.循环测试；

6.MRAM的BE，TE，Rc，R-H测试

技术指标

1.晶圆可测范围：100~200mm；2.磁场强度，Zmax单轴模式垂直磁场可达5500 Oe; XY模式下平面磁场可达2400Oe;全3D配置垂直磁场可达3500Oe，平面磁场可达500Oe；3.1mm场的均匀性在面内场和垂直场均不超过±1%；4.面内场分辨率0.05mT,垂直场分辨率0.02mT ; 5.测试准确度：1%

主要功能

磁阻测试，循环测试，击穿测试

样品要求

1、样品尺寸6寸或8寸晶圆，小片可以黏贴在6寸或8寸的晶圆上；2.电极分布与探针位置匹配，详情咨询相关工程师；3.样品干燥等。

预约说明

提前一周预约

检测周期

一般自收到样品后7天内给出结果

收费标准

1. MRAM器件RF探针测试：3000元/点/特性；

2. DC探针测试：600/点/特性；

3. 循环测试、测试点较多、有特殊要求或样品加急，收费标准另议。